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| 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1076/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王启元; 王俊; 王建华 Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/147  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质外延SOI材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王启元; 王俊; 王建华 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:874/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: SHEN Wenjuan; Wang Jun; Wang Qiyuan; Duan Yao; Zeng Yiping Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/277  |  提交时间:2010/11/23 |