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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞 ; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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| 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴巨; 王宝强; 朱战平; 曾一平
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| 制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 黄风义; 王保强; 朱占平
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| 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔利杰; 曾一平; 王保强; 朱战平
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| 双环结构微纳生物传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 苏保青; 王春霞; 阚强; 李俊华; 解意洋; 王真真; 陈弘达
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| 同侧输入、输出的微环传感器结构及其封装方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143080.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王春霞; 苏保青; 陈弘达
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| 基于相位检测的表面等离子体共振传感装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 陈弘达; 李俊华; 阚强; 王春霞; 苏保青; 解意洋; 王真真
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| N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 楚新波; 关敏; 曾一平; 王宝强; 朱战平
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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