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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Y;  Han, CL;  Gao, JF;  Zhu, ZP;  Wang, BQ;  Zeng, YP;  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_yang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Dou, XM;  Xu, ZY;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: brwang04@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Wang, ZG;  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, Z;  Xu, ZY;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: brwang04@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, Z;  Xu, ZY;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Ch inese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, R;  Sun, BQ;  Ruan, XZ;  Gan, HD;  Ji, Y;  Wang, WZ;  Zhao, JH;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(210Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：930/288  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, R;  Sun, BQ;  Ruan, XZ;  Luo, HH;  Ji, Y;  Wang, WZ;  Zhang, F;  Zhao, JH;  Zhou, R, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhourong05@semi.ac.cn;  bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou, XM;  Sun, BQ;  Wang, BR;  Ma, SS;  Zhou, R;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z. M. Wang;  G. J. Salamo
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