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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [8]
作者
金鹏 [1]
魏鸿源 [1]
焦春美 [1]
杨少延 [1]
张兴旺 [1]
文献类型
期刊论文 [6]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2012 [2]
2011 [1]
2010 [4]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Feng ZH (Feng, Zhihong)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lv YJ (Lv, Yuanjie)
;
Lin ZJ (Lin, Zhaojun)
;
Meng LG (Meng, Lingguo)
;
Luan CB (Luan, Chongbiao)
;
Cao ZF (Cao, Zhifang)
;
Yu YX (Yu, Yingxia)
;
Feng ZH (Feng, Zhihong)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
屈盛
;
张兴旺
;
毛和璜
;
余银祥
;
韩增华
;
汤叶华
;
周春兰
;
王文静
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浏览/下载:1067/331
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提交时间:2012/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tan FR (Tan Furui)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Zhang CS (Zhang Changsha)
;
Shi MJ (Shi Mingji)
;
Wang ZJ (Wang Zhijie)
;
Jin L (Jin Lan)
;
Bi Y (Bi Yu)
;
Cao J (Cao Jie)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Feng ZH (Feng, Zhihui)
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
ZnO 材料的MOCVD 生长研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
王振华
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浏览/下载:1405/116
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提交时间:2010/04/07
Zno
Mocvd
甲醇
价带差
无权访问的条目
期刊论文
作者:
肖虎
;
孟宪权
;
朱振华
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王振华
;
杨安丽
;
刘祥林
;
魏鸿源
;
焦春美
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2011/08/16
生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王振华
;
刘祥林
;
杨少延
;
杨安丽
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提交时间:2011/08/31