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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2008 [44]
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发表日期:2008
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
魏鸿源
;
刘祥林
;
张攀峰
;
焦春美
;
王占国
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浏览/下载:1267/207
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提交时间:2009/06/11
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1407/246
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提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1292/200
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
冉学军
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
唐健
;
罗卫军
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浏览/下载:1288/189
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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浏览/下载:1176/138
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马志勇
;
王晓亮
;
冉军学
;
胡国新
;
肖红领
;
王翠梅
;
罗卫军
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浏览/下载:1353/181
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提交时间:2009/06/11
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王新华
;
冯春
;
王保柱
;
马志勇
;
王军喜
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
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浏览/下载:1255/176
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提交时间:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
;
罗卫军
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浏览/下载:1275/172
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提交时间:2009/06/11
用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王保柱
;
王晓亮
;
王晓燕
;
王新华
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, XB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08