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在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Jia LH;  Chen XF;  Kong DH;  Wang LS;  Zhang W;  Zhao LJ;  Wang W;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du GX;  Babu MR;  Han XF;  Deng JJ;  Wang WZ;  Zhao JH;  Wang WD;  Tang JK;  Han XF Chinese Acad Sci Inst Phys Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys State Key Lab Magnetism POB 603 Beijing 100080 Peoples R China. E-mail Address: xfhan@aphy.iphy.ac.cn;  jhzhao@red.semi.ac.cn
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Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures 会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Austin, TX, NOV 11-14, 2008
作者:  Du GX;  Babu MR;  Han XF;  Deng JJ;  Wang WZ;  Zhao JH;  Wang WD;  Tang JK;  Han, XF, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, State Key Lab Magnetism, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China.
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Spin Injection  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Y;  Chen NF;  Zhang XW;  Chen XF;  Yang XL;  Yin ZG;  Bai YM;  Wang Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ywang@semi.ac.cn;  nfchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XB;  Kou LZ;  Lang XL;  Xia JB;  Wang N;  Qin R;  Lu J;  Xu J;  Liao ZM;  Zhang XZ;  Shan XD;  Song XF;  Gao JY;  Guo WL;  Yu DP;  Guo, WL, Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut, Inst Nanosci, Nanjing 210016, Peoples R China. E-mail Address: wlguo@nuaa.edu.cn;  yudp@pku.edu.cn
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd