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Al(Ga)N材料光致发光性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王维颖
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Algan  深紫外光致发光  高温热退火  Gan/algan量子阱  界面粗糙  偏振特性  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, WY;  Jin, P;  Liu, GP;  Li, W;  Liu, B;  Liu, XF;  Wang, ZG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, C;  Xu, WY;  Zhao, JW;  Lin, J;  Chen, Z;  Cui, Z
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, JM;  Xu, FJ;  Zhang, X;  An, W;  Li, XZ;  Song, J;  Ge, WK;  Tian, GS;  Lu, J;  Wang, XQ;  Tang, N;  Yang, ZJ;  Li, W;  Wang, WY;  Jin, P;  Chen, YH;  Shen, B
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv XQ;  Jin P;  Wang WY;  Wang ZG;  Lv, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  毛德丰;  李维;  王维颖;  金鹏;  王占国
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高In组分AlInN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  李维;  毛德丰;  王维颖;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：708/94  |  提交时间：2014/11/17
提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  王维颖;  毛德丰;  李维;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：838/89  |  提交时间：2014/11/05