中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Growth behavior of AlInGaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Mao MH;  Cai LE;  Zhang JY;  Fang ZL;  Liu BL;  Yu JZ;  Wang QM;  Kusakabe K;  Ohkawa K;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
Adobe PDF(813Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2162/416  |  提交时间：2010/03/09
Scanning Electron Microscope  
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
Adobe PDF(850Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1131/187  |  提交时间：2010/11/15
Strain Relaxation  Heterostructures  
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
Adobe PDF(1208Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/219  |  提交时间：2010/11/15
Electrical-properties  Ion-implantation  Regrowth  Silicon  Layers