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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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作者: Song HP ; Yang AL; Zhang RQ; Guo Y; Wei HY; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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作者: Song HP; Yang AL; Wei HY; Guo Y; Zhang B; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Yang TY; Wang HH; Song HP Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Wei HY; Liu XL; Song HP; Zheng GL; Guo Y; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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作者: Lu QY (Lu, Quan-Yong); Zhang W (Zhang, Wei); Wang LJ (Wang, Li-Jun); Liu JQ (Liu, Jun-Qi); Li L (Li, Lu); Liu FQ (Liu, Feng-Qi); Wang ZG (Wang, Zhan-Guo); Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song GF (Song Guo-Feng); Zhang Y (Zhang Yu); Guo BS (Guo Bao-Shan); Wang WM (Wang Wei-Min); Song, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sgf@semi.ac.cn
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作者: 杨国为; 王守觉; 李卫军
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作者: 王卉; 曾韡; 宋国峰
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