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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  刘炜
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External Electric Field Manipulations on Structural Phase Transition of Vanadium Dioxide Nanoparticles and Its Application in Field Effect Transistor 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2011, 卷号: 115, 期号: 47, 页码: 23558-23563
Authors:  Li WW (Li W. W.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liang JR (Liang J. R.);  Hu ZG (Hu Z. G.);  Liu J (Liu J.);  Chen HD (Chen H. D.);  Chu JH (Chu J. H.)
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Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in VO(2) film near the metal-insulator transition region 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 241903
Authors:  Li WW (Li W. W.);  Yu Q (Yu Q.);  Liang JR (Liang J. R.);  Jiang K (Jiang K.);  Hu ZG (Hu Z. G.);  Liu J (Liu J.);  Chen HD (Chen H. D.);  Chu JH (Chu J. H.)
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电调谐低相位噪声光生微波源 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010102019.9, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  刘建国;  祝宁华;  谢亮;  李伟;  陈伟
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宽带频率可调谐光电振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  王礼贤;  祝宁华;  李伟;  刘建国
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单模红外激光器光波长精确测量装置及测量方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910244535.2, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  陈伟;  祝宁华;  刘建国;  谢亮
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激光长距离输电装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241683.9, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  祝宁华;  王欣;  刘建国;  陈伟
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一种多波长可调谐环形激光器阵列芯片结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010141000.5, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  祝宁华;  满江伟;  刘建国;  陈伟
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紧凑型瞬时微波频率光子测量系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119332.3, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  刘建国;  祝宁华;  王欣;  陈伟;  袁海庆
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