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一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  陆全勇;  张 伟;  王利军;  高 瑜;  尹 雯;  张全德;  刘万峰;  刘峰奇;  王占国
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集成肋片式红外半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李 路;  王利军;  王占国
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单模量子级联激光器线阵列结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  高 瑜;  刘峰奇;  刘俊岐;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang W (Zhang W.);  Wang LJ (Wang L. J.);  Zhang JC (Zhang J. C.);  Zhang QD (Zhang Q. D.);  Li L (Li L.);  Liu JQ (Liu J. Q.);  Liu FQ (Liu F. Q.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhang, W, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: ljwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin L (Lin L.);  Zhen HL (Zhen H. L.);  Li N (Li N.);  Lu W (Lu W.);  Weng QC (Weng Q. C.);  Xiong DY (Xiong D. Y.);  Liu FQ (Liu F. Q.);  Lu, W, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luwei@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM (Liu J. M.);  Liu XL (Liu X. L.);  Xu XQ (Xu X. Q.);  Wang J (Wang J.);  Li CM (Li C. M.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang YC (Jiang Y. C.);  Liu FQ (Liu F. Q.);  Wang LJ (Wang L. J.);  Yin W (Yin W.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiang, YC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@semi.ac.cn
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