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采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人:  郑婉华;  刘安金;  任 刚;  邢名欣;  渠宏伟;  陈良惠 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CX;  Roither J;  Kirschschlager R;  Kovalenko MV;  Brehm M;  Fromherz T;  Kan Q;  Tan PH;  Liu J;  Chen HD;  Heiss W;  Wang CX Johannes Kepler Univ Linz Inst Solid State Phys & Semicond A-4040 Linz Austria. E-mail Address: wolfgang.heiss@jku.at
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Q;  Zhang W;  Wang L;  Liu FQ;  Wang Z;  Lu Q Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈淑文;  朱桂新;  于天宝;  廖清华;  刘念华;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宇;  陈硕夫;  王欣;  袁海庆;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
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