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Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ng YF;  Cao YG;  Xie MH;  Wang XL;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: mhxie@hkusua.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Zheng LX;  Cheung SH;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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