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氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  闫建昌;  王军喜;  张韵;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  田迎冬;  李晋闽
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氮化镓激光器腔面的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-02
发明人:  田迎冬;  董鹏;  张韵;  闫建昌;  孙莉莉;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(1309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：855/84  |  提交时间：2014/11/05