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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan HD;  Zheng HZ;  Deng JJ;  Bi JF;  Zhu H;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhao JH;  Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H;  Zheng HZ;  Xu P;  Peng HL;  Tan PH;  Yang FH;  Ni HQ;  Zeng YX;  Gan HD;  Zhu H;  Zhang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghao@red.semi.ac.cn
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强磁场环境和液氮温度下的自旋相关输运测量系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088590.7, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  吴昊;  郑厚植;  谭平恒;  章昊;  朱汇;  申超
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