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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Sun YW;  Yang XJ;  Jiang DS;  Chen LH;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab NanoOptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1085/255  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Sun YW;  Yang XJ;  Chong M;  Jiang DS;  Chen LH;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  种明;  苏艳梅;  张艳冰;  胡小燕;  马文全;  孙永伟;  陈良惠
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高能电子衍射图像处理系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙永伟;  侯识华;  宋国峰;  杨晓杰;  叶晓军
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1160/149  |  提交时间：2009/06/11
利用密封石英玻璃管实现不同材料晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  孙永伟;  何国荣;  肖雪芳
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1064/143  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(116Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1141/255  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ (Ma W. Q.);  Sun YW (Sun Y. W.);  Yang XJ (Yang X. J.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Chen LH (Chen L. H.);  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqma@semi.ac.cn
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1488/450  |  提交时间：2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Yang, ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Indium Phosphide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：841/262  |  提交时间：2010/11/23