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一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  叶志仙;  刘兴昉
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光学自旋注入方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  张 飞;  郑厚植;  肖文波;  谈笑天;  孙晓明;  吴 昊;  朱 科;  罗 晶 
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一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  孙晓明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HM;  Lombez L;  Liu BL;  Sun BQ;  Xue QK;  Chen DM;  Marie X;  Zhao HM Chinese Acad Sci Inst Phys Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China. E-mail Address: blliu@aphy.iphy.ac.cn;  marie@insa-toulouse.fr
Adobe PDF(217Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1116/326  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Wang Y;  Sun Y;  Pan JQ;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W;  Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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In(Ga)N/GaN异质外延纳米结构的生长以及表征 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  孙苋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun X;  Jiang DS;  Liu WB;  Zhu JH;  Wang H;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  You LP;  Ma RM;  Yang H;  Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn;  dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1297/371  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu WB;  Zhao DG;  Sun X;  Zhang S;  Jiang DS;  Wang H;  Zhang SM;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Duan LH;  Yang H;  Liu WB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wbliu@semi.ac.cn;  dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Wang LL;  Sun X;  Zhu JH;  Liu WB;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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