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一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  叶志仙;  刘兴昉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun L (Sun L.);  Zhang L (Zhang L.);  Yu HJ (Yu H. J.);  Guo L (Guo L.);  Ma JL (Ma J. L.);  Zhang J (Zhang J.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Laser Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunlu2446@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L (Zhang L.);  Guo L (Guo L.);  Xiong B (Xiong B.);  Yan X (Yan X.);  Sun L (Sun L.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈宇;  孙玲;  徐琳;  郭睿倩;  潘庆;  何杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  常秀英;  窦秀明;  孙宝权;  熊永华;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  翟耀;  孙阳;  徐学俊;  陈少武
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙阳;  徐学俊;  屠晓光;  陈少武
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  孙宝权;  窦秀明;  熊永华;  王海莉;  倪海桥;  李树深;  夏建白
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jahn U;  Brandt O;  Luna E;  Sun X;  Wang H;  Jiang DS;  Bian LF;  Yang;  H;  Jahn, U, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: ujahn@pdi-berlin.de
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