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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XS; Xiong ZG; Sun ZH; Du W; Lu L; Chen HD; Jin AZ; Zhang DZ; Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜 ; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中
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| High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者: Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY; Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy Ion-scattering Spectroscopy Lattice Polarity Single-crystals Films Polarization Gan(0001) Surfaces Growth Diodes |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄大定; 刘超; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo MC; Wang XL; Li JM; Liu HX; Wang L; Sun DZ; Zeng YP; Lin LY; Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨冰; 蒲以康; 孙殿照
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