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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
文献类型
会议论文 [12]
发表日期
2003 [1]
2001 [3]
2000 [1]
1999 [4]
1998 [3]
语种
英语 [12]
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Impurities
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Defects
Heterostructure
Semiconductors
Stress
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Xia JB Hong Kong Bapitst Univ Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Acceptor Binding Energy
Hole Effective-mass Hamiltonian
Wurtzite Gan
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Liu JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strain-shift Coefficients
Si1-xgex
Silicon
Phonons
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stress
Growth
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stranski-krastanow Growth
Quantum Dots
Relaxation
Inas
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Layers
High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Kong MY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Hydrogen
Autodoping
Films