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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 拉伸式光纤延时器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081474.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 祝宁华; 孙可; 王欣; 袁海庆; 俞芷
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| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 电化学检测dPCR扩增产物的芯片及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 李钊; 孙英男; 杨翎; 蒋莉娟; 刘文文; 俞育德
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| 基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 李钊; 孙英男; 周晓光; 俞育德
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| 一种硅基阵列微反应池数字PCR芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 俞育德; 魏清泉; 刘勇; 李钊; 孙英男; 刘文文; 蒋莉娟
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