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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang XY;  Dou XM;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Jiang DS;  Chang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
Adobe PDF(220Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1056/382  |  提交时间:2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XM;  Chang XY;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Jiang DS;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ;  Jiang DS;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 911, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bqsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/243  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙永伟;  马文全;  杨晓杰;  屈玉华;  侯识华;  江德生;  孙宝权;  陈良惠
Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1722/252  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Jiang DS;  Tan PH;  Lu SL;  Sun BQ;  Li LH;  Harmand, JC;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@pdi-berlin.de
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:992/303  |  提交时间:2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SL;  Liu B;  Sun BQ;  Jiang DS;  Xu ZY;  Li SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1089/384  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Sun BQ;  Liu B;  Jiang DS;  Xu ZY;  Lu SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:926/288  |  提交时间:2010/08/12
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:  Jiang DS;  Liang XG;  Sun BQ;  Bian L;  Li LH;  Pan Z;  Wu RG;  Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Luminescence  Localization