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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li F (Li Feng); Li XQ (Li Xin-Qi); Zhang WM (Zhang Wei-Min); Gurvitz SA (Gurvitz S. A.); Li, F, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Shmuel.Gurvitz@weizmann.ac.il
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王翠鸾; 韩淋; 吴芃; 刘媛媛 ; 李伟; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
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| 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐云; 陈良惠; 李玉璋; 曹青; 宋国峰; 郭良
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| 红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐云; 陈良惠; 张玉芳; 宋国峰; 李玉璋; 种明; 郑婉华; 曹青
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| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕
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| 半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 王大拯; 王翠鸾; 仲莉; 韩淋; 崇峰; 史慧玲; 王冠; 胡理科; 刘素平; 马骁宇
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