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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2007
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一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
邵烨
;
刘峰奇
;
刘俊歧
;
李路
Adobe PDF(853Kb)
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浏览/下载:1471/199
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提交时间:2009/06/11
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈海波
;
李兆峰
;
陈建军
;
杨富华
;
封松林
;
郑厚植
Adobe PDF(606Kb)
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浏览/下载:1169/168
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提交时间:2009/06/11
GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘俊岐
;
刘峰奇
;
李路
;
邵烨
;
郭瑜
;
梁平
;
胡颖
;
孙虹
Adobe PDF(769Kb)
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浏览/下载:1179/204
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提交时间:2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(924Kb)
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浏览/下载:1187/171
  |  
提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(931Kb)
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浏览/下载:1251/176
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提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
Adobe PDF(1107Kb)
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浏览/下载:1186/193
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提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(1043Kb)
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浏览/下载:1047/158
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提交时间:2009/06/11
直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术
成果
2007
主要完成人:
李晋闽
;
曾一平
;
惠峰
;
卜俊鹏
;
王文军
;
郑红军
;
孙红方
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浏览/下载:2089/0
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提交时间:2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, J (Li, Jun)
;
Shi, SL (Shi, S. L.)
;
Wang, YJ (Wang, Y. J.)
;
Xu, SJ (Xu, S. J.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Lu, F (Lu, F.)
;
Li, J, Fudan Univ, Dept Phys, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(223Kb)
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浏览/下载:973/374
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)
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浏览/下载:1325/197
  |  
提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide