|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
 Adobe PDF(573Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1490/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1430/257 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei QX; Ren ZW; He ZH; Niu ZC; Wei QX Shanxi Univ Dept Phys Taiyuan 030006 Peoples R China. E-mail Address: qx.wei@163.com
Adobe PDF(1688Kb) | 收藏 | 浏览/下载：876/206 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang B; Xu YQ; Zhou ZQ; Hao RT; Wang GW; Ren ZW; Niu ZC; Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(414Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1247/374 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou ZQ; Xu YQ; Hao RT; Tang B; Ren ZW; Niu ZC; Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(481Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1100/306 | 提交时间：2010/03/08 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(621Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1235/190 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1249/150 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1120/168 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou, ZQ; Xu, YQ; Hao, RT; Tang, B; Ren, ZW; Niu, ZC; Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(374Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1093/296 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙彦; 彭红玲; 任正伟; 贺振宏
Adobe PDF(386Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1031/340 | 提交时间：2010/11/23 |
