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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang XL; Chen TS; Xiao HL; Tang J; Ran JX; Zhang ML; Feng C; Hou QF; Wei M; Jiang LJ; Li JM; Wang ZG; Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1597/399  |  提交时间:2010/03/08 |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文 2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008 作者: Tang J; Wang XL; Chen TS; Xiao HL; Ran JX; Zhang ML; Hu GX; Feng C; Hou QF; Wei M; Li JM; Wang ZG; Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(3875Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1724/433  |  提交时间:2010/03/09 Algan/gan Hemts |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1228/386  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 盛殊然; 廖显伯; 孔光临; 刁宏伟 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:809/163  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 朱沛然; 江伟林; 徐天冰; 殷士端 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:695/135  |  提交时间:2010/11/23 |