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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 植物补光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠,宋昌斌; 姚然; 卢鹏志; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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