中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1216/193  |  提交时间：2009/06/11
MOCVD GaN基微电子材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  冉军学
Adobe PDF(2262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：895/55  |  提交时间：2009/04/13