SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条,第1-3条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1206/191  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Wang CM;  Hu GX;  Wang JX;  Ran JX;  Fang CB;  Li JP;  Zeng YP;  Li JM;  Liu XY;  Liu J;  Qian H;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(2024Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1014/271  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1076/355  |  提交时间:2010/11/23