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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红 ; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张富强; 陈诺夫
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| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 张富强; 杨君玲; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 一种离子或生物检测探头的基座 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1989-06-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 汪正孝; 张智宏; 张允强
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| 一种显微共焦拉曼光谱仪 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102507529A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-06-20, 2012-08-29
发明人: 谭平恒; 韩文鹏; 张昕; 鲁妍; 罗师强
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| 一种微分光脉冲时域展宽模数转换器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078866.3, 公开日期: 2010-09-08, 2010-09-08
发明人: 张强; 倪卫宁
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| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰
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| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
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| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
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