SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条,第1-4条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Muhammad Azam ;  Abbas Ahmad Khan ;  Guang-Xing Liang ;  Gui-Jun Li ;  Shuo Chen ;  Zhuang-Hao Zheng ;  Umar Farooq ;  Muhammad Ishaq ;  Ping Fan ;  Zhijie Wang ;  Zhan-Guo Wang
Adobe PDF(1081Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:16/1  |  提交时间:2021/05/25
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:608/0  |  提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:675/0  |  提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:490/3  |  提交时间:2016/09/28