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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆
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| 光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆
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| 激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆; 王鲁峰; 边静
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| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍
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| 变温霍尔实验仪 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于耀川; 徐寿定; 范东华; 胡长有; 周仁楷; 李瑞云; 李平江
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| 激光光束匀化装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 曾华林; 何军; 李丽艳; 范松涛; 佟有万; 雷平顺; 周燕
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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