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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
Adobe PDF(412Kb)
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浏览/下载:1663/296
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提交时间:2010/08/12
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王元立
;
吴巨
;
金鹏
;
叶小玲
;
张春玲
;
黄秀颀
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(409Kb)
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浏览/下载:1435/181
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提交时间:2009/06/11
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
王海莉
;
贺继方
;
朱岩
;
李密峰
;
王鹏飞
;
黄社松
;
熊永华
Adobe PDF(723Kb)
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浏览/下载:1614/204
  |  
提交时间:2011/08/30
无源光限幅器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:
黄北举
;
程传同
;
张赞
;
张赞允
;
毛旭瑞
;
甘胜
;
李鹏飞
;
陈弘达
Adobe PDF(378Kb)
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提交时间:2016/09/02