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AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  潘旭
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Alxga1-xn三元合金  高al组分  紫外探测器  金属有机物化学气相外延  Si基gan  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Li W;  Wang WY;  Jin P;  Wang ZG
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在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  魏萌;  王晓亮;  潘旭;  李建平;  刘宏新;  王翠梅;  肖红领
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