|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 二维Janus半导体电子结构与光电性质的理论研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 王盼
 Adobe PDF(8386Kb) |  收藏 | 浏览/下载：315/4 | 提交时间：2022/07/26 |
| 二维本征磁性材料的磁隧道结器件物理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 潘龙飞
Adobe PDF(4981Kb) | 收藏 | 浏览/下载：455/6 | 提交时间：2020/09/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jinhua Zhi ; Ning Kang ; Feifan Su ; Dingxun Fan ; Sen Li ; Dong Pan ; S. P. Zhao ; Jianhua Zhao ; H. Q. Xu
Adobe PDF(1388Kb) | 收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2020/07/31 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 祝梦遥; 鲁军; 马佳淋; 李利霞; 王海龙; 潘东; 赵建华
Adobe PDF(909Kb) | 收藏 | 浏览/下载：383/6 | 提交时间：2016/03/29 |
| 高质量窄禁带半导体纳米线及其异质结构分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 潘东
Adobe PDF(11615Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1314/36 | 提交时间：2014/05/27
Inas纳米线 Inas/insb纳米异质结 生长机制 分子束外延 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Pan, D; Fu, MQ; Yu, XZ; Wang, XL; Zhu, LJ; Nie, SH; Wang, SL; Chen, Q; Xiong, P; von Molnar, S; Zhao, JH
Adobe PDF(2003Kb) | 收藏 | 浏览/下载：501/53 | 提交时间：2015/04/02 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 李京波; 纪攀峰; 朱峰
Adobe PDF(486Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1304/210 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人: 赵建华; 潘东
Adobe PDF(3401Kb) | 收藏 | 浏览/下载：522/44 | 提交时间：2014/11/24 |
| 立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 潘东; 赵建华
Adobe PDF(395Kb) | 收藏 | 浏览/下载：332/3 | 提交时间：2016/09/12 |
