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折射率渐变的光子晶体发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  赵玲慧;  马平;  甄爱功;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓系发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  马平;  刘波亭;  甄爱功;  郭仕宽;  纪攀峰;  王军喜;  李晋闽
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一种白光发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  马平;  甄爱功;  刘波亭;  王军喜;  李晋闽
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具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  甄爱功;  马平;  张勇辉;  田迎冬;  郭恩卿;  王军喜;  李晋闽
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Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
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