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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chun-Cai Hou ;   Hong-Mei Chen ;   Jin-Chuan Zhang ;   Ning Zhuo ;   Yuan-Qing Huang ;   Richard A Hogg ;   David TD Childs ;   Ji-Qiang Ning ;   Zhan-Guo Wang ;   Feng-Qi Liu Zi-Yang Zhang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan Jun-Da;  Wang Quan;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Jiang Li-Juan;  Yin Hai-Bo;  Feng Chun;  Wang Cui-Mei;  Qu Shen-Qi;  Gong Jia-Min;  Zhang Bo;  Li Bai-Quan;  Wang Zhan-Guo;  Hou Xun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mei, FH;  Zhang, S;  Tang, N;  Duan, JX;  Xu, FJ;  Chen, YH;  Ge, WK;  Shen, B
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  WAN Xiao-Jia, WANG Xiao-Liang, XIAO Hong-Ling, WANG Cui-Mei, FENG Chun, DENG Qing-Wen, QU Shen-Qi, ZHANG Jing-Wen3, HOU Xun, CAI Shu-Jun, FENG Zhi-Hong
Adobe PDF(974Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:366/134  |  提交时间:2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin CM;  Tang N;  Zhang S;  Duan JX;  Xu FJ;  Song J;  Mei FH;  Wang XQ;  Shen B;  Chen YH;  Yu JL;  Ma H;  Yin, CM, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop, Beijing 100871, Peoples R China. ntang@pku.edu.cn;  bshen@pku.edu.cn
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利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  张恒;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:844/105  |  提交时间:2014/10/24
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/0  |  提交时间:2016/09/29