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1.5 μm InGaAs 异变量子阱及InAs 单量子点光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  马珊珊
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III-V族半导体低维结构与新型合金材料的光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  马宝珊
Adobe PDF(3683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：904/29  |  提交时间：2009/04/13