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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1107/178  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Lian P (Lian Peng);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang Q (Wang Qing);  Wu XM (Wu Xu-Ming);  He GR (He Guo-Rong);  Li H (Li Hui);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Song GF (Song Guo-Feng);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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