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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1369/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1322/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 罗卫军 Adobe PDF(3587Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:982/80  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen Zhigang; Zhang Yang; Luo Weijun; Zhang Renping; Yang Fuhua; Wang Xiaoliang; Li Jinmin Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1259/353  |  提交时间:2010/11/23 |