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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  陆大成
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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  袁海荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Yuan HR;  Han PD;  Wang D;  Wang ZG;  Li GH;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Yuan HR;  Lu DC;  Sun XH;  Wan SK;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Han P;  Liu XL;  Wang XH;  Li YF;  Yuan HR;  Lu Y;  Bing LD;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wang XF;  Yan L;  Chen Z,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuan HR;  Chen Z;  Lu DC;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：971/334  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Chen Z;  Han P;  Wang XH;  Wang D;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat & Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC;  Duan SK;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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