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| 一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖
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| Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy 会议论文
FIRST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON MICROGRAVITY RESEARCH & APPLICATIONS IN PHYSICAL SCIENCES AND BIOTECHNOLOGY, VOLS I AND II, PROCEEDINGS, 454, SORRENTO, ITALY, SEP 10-15, 2000
作者: Lu DC; Lin LY; Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Han PD ; Yuan HR; Wang D; Wang ZG; He ST; Li HL; Yan L; Chen XY; Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Chen Z; Wang XH; Wang D; Han PD; Yuan HR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 段树坤
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 刘祥林; 陆大成; 袁海荣; 韩培德; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 袁海荣; 向贤碧; 陈庭金; 陆大成
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣
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