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| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 减少激光剥离损伤的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
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| 一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 用于CMOS图像传感器的模拟读出预处理电路及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘力源; 吴南健; 郭志强
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| 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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