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高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  杨少延;  焦春美
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
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在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XQ;  Liu, XL;  Han, XX;  Yuan, HR;  Wang, J;  Guo, Y;  Song, HP;  Zheng, GL;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, GQ;  Zeng, YP;  Wang, XL;  Liu, HX;  Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, AL;  Wei, HY;  Liu, XL;  Song, HP;  Fan, HB;  Zhang, PF;  Zheng, GL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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