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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Y (Zhang Yang);  Guan M (Guan Min);  Liu XF (Liu Xingfang);  Zeng YP (Zeng Yiping)
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集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张峰;  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  刘兴昉;  闫果果;  曾一平
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利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘祯;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  杨华;  刘祯;  曾一平;  王国宏
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采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  段垚;  刘祯;  曾一平
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2510/513  |  提交时间：2012/08/29
碳化硅PIN微结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  孙国胜;  吴海雷;  郑柳;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果
Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2425/495  |  提交时间：2012/08/29