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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, R;  Wang, XD;  Liu, W;  Xu, XN;  Li, YQ;  Ji, A;  Yang, FH;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, R;  Wang, XD;  Song, L;  Liu, W;  Ji, A;  Yang, FH;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, R;  Wang, XD;  Liu, W;  Song, L;  Xu, XN;  Ji, A;  Yang, FH;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Wang XD;  Li YQ;  Geng ZX;  Yang FH;  Li JM;  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. xdwang@semi.ac.cn
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一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  樊晶美;  王良臣;  刘志强
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