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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 　
发明人:  姜丽娟
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  姜丽娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhang SM;  Wang YT;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Yang H;  Zhang SM Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
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