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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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