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GaInNAs/GaAs等窄带隙量子阱结构光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  梁晓甘
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The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:  Jiang DS;  Liang XG;  Sun BQ;  Bian L;  Li LH;  Pan Z;  Wu RG;  Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Luminescence  Localization  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang XG;  Jiang DS;  Bian LF;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Liang XG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁晓甘;  江德生;  边历峰;  潘钟;  李联合;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang XG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Bian LF;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Liang XG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Jiang DS;  Jia R;  An L;  Bian LF;  Liang XG;  Ma BS;  Sun BQ;  Lu SL,Univ New S Wales,Dept Phys,Sydney,NSW,Australia.
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Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells 会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:  Jiang DS;  Liang XG;  Chang K;  Bian LF;  Sun BQ;  Wang JB;  Johnson S;  Zhang Y;  Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1364/272  |  提交时间：2010/10/29
Lasers  Gain  Gaas