中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
Adobe PDF(215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1271/204  |  提交时间：2009/06/11
提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/183  |  提交时间：2009/06/11
提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1181/179  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, ZF;  Zhao, DG;  Wang, YT;  Jiang, DS;  Zhang, SM;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Sun, BJ;  Yang, H;  Liang, JW;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1155/314  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Zhang SM;  Yang H;  Cao Q;  Ji L;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Jiang DS;  Duan LH;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Chen LH;  Liang JW;  Zhang, LQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(384Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1037/307  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LL;  Wang H;  Chen J;  Sun X;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Wang, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangll@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(720Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1344/367  |  提交时间：2010/03/08